
货期:国内(1~3工作日)
起订量:20
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 20 | ¥3 | ¥60.00 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 10.5 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 114 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP12N50E-BE3
单位重量 2 g
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0SIHP12N50E-GE3
型号:SIHP12N50E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 20+: | ¥3 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00