BSC018NE2LSIATMA1
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- 制造商编号：
- BSC018NE2LSIATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：9250
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥20.859246 | ￥20.86 |
| 10 | ￥17.030289 | ￥170.30 |
| 100 | ￥13.248479 | ￥1324.85 |
| 500 | ￥11.229705 | ￥5614.85 |
| 1000 | ￥9.14778 | ￥9147.78 |
| 2000 | ￥8.611583 | ￥17223.17 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSC018NE2LSIATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
29A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.8mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
36nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2500pF @ 12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6
封装/外壳
8-PowerTDFN
BSC018NE2LSIATMA1 同类别型号
注
BSC018NE2LSIATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、BSC018NE2LSIATMA1
数据手册PDF
。
BSC018NE2LSIATMA1
型号：BSC018NE2LSIATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：9250 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥20.859246 |
| 10+： | ￥17.030289 |
| 100+： | ￥13.248479 |
| 500+： | ￥11.229705 |
| 1000+： | ￥9.14778 |
| 2000+： | ￥8.611583 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥20.86