
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥4.952792 | ¥4.95 |
| 10 | ¥4.268835 | ¥42.69 |
| 100 | ¥2.954576 | ¥295.46 |
| 500 | ¥2.468614 | ¥1234.31 |
| 1000 | ¥2.100986 | ¥2100.99 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 450 mA
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 250 mS
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 4.95 mm
长度 4.95 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 453.600 mg
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0ZVN4210A
型号:ZVN4210A
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥4.952792 |
| 10+: | ¥4.268835 |
| 100+: | ¥2.954576 |
| 500+: | ¥2.468614 |
| 1000+: | ¥2.100986 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.95