
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥36.103684 | ¥36.10 |
| 10 | ¥24.630055 | ¥246.30 |
| 100 | ¥17.643382 | ¥1764.34 |
| 500 | ¥14.55101 | ¥7275.51 |
| 1000 | ¥13.543472 | ¥13543.47 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 590 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 192 nC
耗散功率 195 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 72 ns
正向跨导(Min) 278 S
上升时间 43 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 156 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 76 mg
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0CSD16570Q5B
型号:CSD16570Q5B
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥36.103684 |
| 10+: | ¥24.630055 |
| 100+: | ¥17.643382 |
| 500+: | ¥14.55101 |
| 1000+: | ¥13.543472 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥36.10