SI8497DB-T2-E1
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- 制造商编号：
- SI8497DB-T2-E1
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT
- 渠道：
- digikey
库存 ：4998
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.919373 | ￥6.92 |
| 10 | ￥5.930891 | ￥59.31 |
| 25 | ￥5.535499 | ￥138.39 |
| 100 | ￥4.112084 | ￥411.21 |
| 250 | ￥3.906481 | ￥976.62 |
| 500 | ￥3.210589 | ￥1605.29 |
| 1000 | ￥2.609592 | ￥2609.59 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 43 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 49 nC
耗散功率 13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导（Min） 10 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 17 ns
外形参数
高度 0.6 mm
长度 2.36 mm
宽度 1.56 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 128.380 mg
SI8497DB-T2-E1 同类别型号
注
SI8497DB-T2-E1品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI8497DB-T2-E1
数据手册PDF。
SI8497DB-T2-E1
型号：SI8497DB-T2-E1
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：4998 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.919373 |
| 10+： | ￥5.930891 |
| 25+： | ￥5.535499 |
| 100+： | ￥4.112084 |
| 250+： | ￥3.906481 |
| 500+： | ￥3.210589 |
| 1000+： | ￥2.609592 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.92