
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.238537 | ¥12.24 |
| 10 | ¥7.587893 | ¥75.88 |
| 100 | ¥4.915304 | ¥491.53 |
| 500 | ¥3.759374 | ¥1879.69 |
| 1000 | ¥3.262947 | ¥3262.95 |
| 2000 | ¥3.072179 | ¥6144.36 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 17.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 6.2 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF8707TRPBF SP001555780
单位重量 540 mg
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0IRF8707TRPBF
型号:IRF8707TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.238537 |
| 10+: | ¥7.587893 |
| 100+: | ¥4.915304 |
| 500+: | ¥3.759374 |
| 1000+: | ¥3.262947 |
| 2000+: | ¥3.072179 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.24