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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 43 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 49 nC
耗散功率 13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 17 ns
高度 0.6 mm
长度 2.36 mm
宽度 1.56 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 128.380 mg
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0SI8497DB-T2-E1
型号:SI8497DB-T2-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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