
货期: 8周-10周
起订量:1000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ¥26.240894 | ¥26240.89 |
| 2000 | ¥25.857816 | ¥51715.63 |
| 5000 | ¥23.559343 | ¥117796.71 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
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0SIHA105N60EF-GE3
型号:SIHA105N60EF-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1000+: | ¥26.240894 |
| 2000+: | ¥25.857816 |
| 5000+: | ¥23.559343 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00