货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥7.858604 | ¥7.86 |
10 | ¥6.922506 | ¥69.23 |
100 | ¥5.311492 | ¥531.15 |
500 | ¥4.198576 | ¥2099.29 |
1000 | ¥3.35886 | ¥3358.86 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 0.85 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RUR040N02
单位重量 12 mg
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0RUR040N02TL
型号:RUR040N02TL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.858604 |
10+: | ¥6.922506 |
100+: | ¥5.311492 |
500+: | ¥4.198576 |
1000+: | ¥3.35886 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.86