货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥2.922547 | ¥7306.37 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 11.76 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 33.5 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15.7 ns
上升时间 8.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35.9 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 97 mg
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0DMTH6009LPSQ-13
型号:DMTH6009LPSQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥2.922547 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00