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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 8.6 A
漏源电阻 175 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
正向跨导(Min) 4.75 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
高度 16.07 mm
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FQPF11P06
型号:FQPF11P06
品牌:ON
供货:锐单
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