
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥71.416286 | ¥71.42 |
| 10 | ¥61.219926 | ¥612.20 |
| 100 | ¥51.015809 | ¥5101.58 |
| 500 | ¥45.013739 | ¥22506.87 |
| 1000 | ¥40.512365 | ¥40512.37 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 80 mOhms
栅极电压 - 4 V, + 22 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 134 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 3.8 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SCT3080AL
单位重量 6 g
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0SCT3080ALGC11
型号:SCT3080ALGC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥71.416286 |
| 10+: | ¥61.219926 |
| 100+: | ¥51.015809 |
| 500+: | ¥45.013739 |
| 1000+: | ¥40.512365 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥71.42