货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.625455 | ¥6.63 |
10 | ¥5.929573 | ¥59.30 |
100 | ¥4.623651 | ¥462.37 |
500 | ¥3.819778 | ¥1909.89 |
1000 | ¥3.015615 | ¥3015.61 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 28 A
漏源电阻 2.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 36 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导(Min) 29 S
上升时间 12.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 61.3 ns
典型接通延迟时间 19.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS1E280GN
单位重量 771.020 mg
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0RS1E280GNTB
型号:RS1E280GNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.625455 |
10+: | ¥5.929573 |
100+: | ¥4.623651 |
500+: | ¥3.819778 |
1000+: | ¥3.015615 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.63