
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥51.709965 | ¥51.71 |
| 10 | ¥46.425631 | ¥464.26 |
| 25 | ¥43.895384 | ¥1097.38 |
| 100 | ¥35.114608 | ¥3511.46 |
| 250 | ¥33.164081 | ¥8291.02 |
| 500 | ¥31.212984 | ¥15606.49 |
| 1000 | ¥26.726117 | ¥26726.12 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 102 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
购物车
0SIHB105N60EF-GE3
型号:SIHB105N60EF-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥51.709965 |
| 10+: | ¥46.425631 |
| 25+: | ¥43.895384 |
| 100+: | ¥35.114608 |
| 250+: | ¥33.164081 |
| 500+: | ¥31.212984 |
| 1000+: | ¥26.726117 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥51.71