货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥1.408353 | ¥3520.88 |
5000 | ¥1.336694 | ¥6683.47 |
12500 | ¥1.24122 | ¥15515.25 |
25000 | ¥1.212571 | ¥30314.28 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 39 A
漏源电阻 10.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 29 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1 ns
正向跨导(Min) 37 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 2 ns
开发套件 TPS25741EVM-802, TPS25741AEVM-802
高度 0.9 mm
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.300 mg
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0CSD17579Q3A
型号:CSD17579Q3A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥1.408353 |
5000+: | ¥1.336694 |
12500+: | ¥1.24122 |
25000+: | ¥1.212571 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00