
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥15.585866 | ¥15.59 |
| 10 | ¥13.98702 | ¥139.87 |
| 100 | ¥11.243678 | ¥1124.37 |
| 500 | ¥9.23776 | ¥4618.88 |
| 1000 | ¥7.654155 | ¥7654.16 |
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 74 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 86 nC
耗散功率 170 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 105 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 27 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0FDP120N10
型号:FDP120N10
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥15.585866 |
| 10+: | ¥13.98702 |
| 100+: | ¥11.243678 |
| 500+: | ¥9.23776 |
| 1000+: | ¥7.654155 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.59