CSD17579Q3A
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- 制造商编号：
- CSD17579Q3A
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
- 渠道：
- digikey
库存 ：40396
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.292912 | ￥8.29 |
| 10 | ￥7.077572 | ￥70.78 |
| 100 | ￥4.918555 | ￥491.86 |
| 500 | ￥3.84019 | ￥1920.10 |
| 1000 | ￥3.121423 | ￥3121.42 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 39 A
漏源电阻 10.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 29 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1 ns
正向跨导（Min） 37 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 2 ns
规格参数
开发套件 TPS25741EVM-802, TPS25741AEVM-802
外形参数
高度 0.9 mm
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.300 mg
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注
CSD17579Q3A品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、CSD17579Q3A
数据手册PDF
。
CSD17579Q3A
型号：CSD17579Q3A
品牌：TI
供货：锐单
库存：40396 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.292912 |
| 10+： | ￥7.077572 |
| 100+： | ￥4.918555 |
| 500+： | ￥3.84019 |
| 1000+： | ￥3.121423 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.29