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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 68.6 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.1 ns
上升时间 6.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.4 ns
典型接通延迟时间 9.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
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0DMTH4004SCTBQ-13
型号:DMTH4004SCTBQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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