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CSD18512Q5BT

TI(德州仪器)
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制造商编号:
CSD18512Q5BT
制造商:
TI(德州仪器)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
渠道:
digikey

库存 :250

货期:(7~10天)

起订量:250

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
250 17.622269 4405.57
500 16.149362 8074.68
750 15.398375 11548.78
1250 14.553764 18192.20
1750 14.053207 24593.11
2500 13.566725 33916.81
6250 13.424146 83900.91

规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 100 A

漏源电阻 1.8 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.3 V

栅极电荷 98 nC

耗散功率 139 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 7 ns

正向跨导(Min) 136 S

上升时间 16 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 31 ns

典型接通延迟时间 7 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 115.700 mg

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CSD18512Q5BT

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型号:CSD18512Q5BT

品牌:TI

供货:锐单

库存:250 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

250+: ¥17.622269
500+: ¥16.149362
750+: ¥15.398375
1250+: ¥14.553764
1750+: ¥14.053207
2500+: ¥13.566725
6250+: ¥13.424146

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