
货期:(7~10天)
起订量:250
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ¥17.622269 | ¥4405.57 |
| 500 | ¥16.149362 | ¥8074.68 |
| 750 | ¥15.398375 | ¥11548.78 |
| 1250 | ¥14.553764 | ¥18192.20 |
| 1750 | ¥14.053207 | ¥24593.11 |
| 2500 | ¥13.566725 | ¥33916.81 |
| 6250 | ¥13.424146 | ¥83900.91 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 98 nC
耗散功率 139 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 136 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 115.700 mg
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0CSD18512Q5BT
型号:CSD18512Q5BT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 250+: | ¥17.622269 |
| 500+: | ¥16.149362 |
| 750+: | ¥15.398375 |
| 1250+: | ¥14.553764 |
| 1750+: | ¥14.053207 |
| 2500+: | ¥13.566725 |
| 6250+: | ¥13.424146 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00