
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥72.679567 | ¥72.68 |
| 10 | ¥64.021886 | ¥640.22 |
| 100 | ¥55.367755 | ¥5536.78 |
| 500 | ¥50.177169 | ¥25088.58 |
| 1000 | ¥46.024558 | ¥46024.56 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 46 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 93 nC
耗散功率 227 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 82 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW65R045C7 SP000929412
单位重量 6 g
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0IPW65R045C7FKSA1
型号:IPW65R045C7FKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥72.679567 |
| 10+: | ¥64.021886 |
| 100+: | ¥55.367755 |
| 500+: | ¥50.177169 |
| 1000+: | ¥46.024558 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥72.68