
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.551776 | ¥4655.33 |
| 6000 | ¥1.430243 | ¥8581.46 |
| 9000 | ¥1.368308 | ¥12314.77 |
| 15000 | ¥1.304542 | ¥19568.13 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 8.5 ns
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRLMS2002TRPBF SP001567202
单位重量 20 mg
购物车
0IRLMS2002TRPBF
型号:IRLMS2002TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.551776 |
| 6000+: | ¥1.430243 |
| 9000+: | ¥1.368308 |
| 15000+: | ¥1.304542 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00