
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.902855 | ¥6.90 |
| 25 | ¥5.831722 | ¥145.79 |
| 100 | ¥5.296156 | ¥529.62 |
制造商 Microchip
商标 Microchip Technology
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 90 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 5.33 mm
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 453.600 mg
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0VP0109N3-G
型号:VP0109N3-G
品牌:MICROCHIP
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.902855 |
| 25+: | ¥5.831722 |
| 100+: | ¥5.296156 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.90