货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2000 | ¥2.112469 | ¥4224.94 |
6000 | ¥1.901172 | ¥11407.03 |
10000 | ¥1.760379 | ¥17603.79 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14.6 ns
上升时间 4.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMN3009SFG-7
型号:DMN3009SFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥2.112469 |
6000+: | ¥1.901172 |
10000+: | ¥1.760379 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00