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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 44 A
漏源电阻 110 mOhms
栅极电压 - 15 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4.3 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 348 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 5.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 6.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0NTHL080N120SC1
型号:NTHL080N120SC1
品牌:ON
供货:锐单
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