STL9N60M2
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- 制造商编号：
- STL9N60M2
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
- 渠道：
- digikey
库存 ：1010
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥23.927578 | ￥23.93 |
| 10 | ￥19.825709 | ￥198.26 |
| 100 | ￥15.783655 | ￥1578.37 |
| 500 | ￥13.355861 | ￥6677.93 |
| 1000 | ￥11.332272 | ￥11332.27 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL9N60M2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
MDmesh™ II Plus
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
860mOhm @ 2.4A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
10nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
320pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
48W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (5x6) HV
封装/外壳
8-PowerVDFN
STL9N60M2 同类别型号
注
STL9N60M2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
STL9N60M2
型号：STL9N60M2
品牌：ST
供货：锐单
库存：1010 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥23.927578 |
| 10+： | ￥19.825709 |
| 100+： | ￥15.783655 |
| 500+： | ￥13.355861 |
| 1000+： | ￥11.332272 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥23.93