货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.850252 | ¥7.85 |
10 | ¥6.766171 | ¥67.66 |
100 | ¥4.680247 | ¥468.02 |
500 | ¥3.911171 | ¥1955.59 |
1000 | ¥3.328508 | ¥3328.51 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 8.5 ns
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRLMS2002TRPBF SP001567202
单位重量 20 mg
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0IRLMS2002TRPBF
型号:IRLMS2002TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.850252 |
10+: | ¥6.766171 |
100+: | ¥4.680247 |
500+: | ¥3.911171 |
1000+: | ¥3.328508 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.85