
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.736387 | ¥8.74 |
| 10 | ¥7.673853 | ¥76.74 |
| 25 | ¥7.206338 | ¥180.16 |
| 100 | ¥5.231207 | ¥523.12 |
| 250 | ¥5.045853 | ¥1261.46 |
| 500 | ¥4.371263 | ¥2185.63 |
| 1000 | ¥3.720284 | ¥3720.28 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14.6 ns
上升时间 4.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMN3009SFG-7
型号:DMN3009SFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.736387 |
| 10+: | ¥7.673853 |
| 25+: | ¥7.206338 |
| 100+: | ¥5.231207 |
| 250+: | ¥5.045853 |
| 500+: | ¥4.371263 |
| 1000+: | ¥3.720284 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.74