货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥26.055604 | ¥26.06 |
10 | ¥21.654826 | ¥216.55 |
100 | ¥17.236592 | ¥1723.66 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 98 nC
耗散功率 139 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 136 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 115.700 mg
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0CSD18512Q5BT
型号:CSD18512Q5BT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥26.055604 |
10+: | ¥21.654826 |
100+: | ¥17.236592 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥26.06