货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥54.36649 | ¥54.37 |
10 | ¥48.855706 | ¥488.56 |
100 | ¥40.033507 | ¥4003.35 |
500 | ¥34.216292 | ¥17108.15 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 800 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 286 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 58 ns
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 67 ns
典型接通延迟时间 53 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB180N04S4-00 SP000646176
单位重量 1.600 g
购物车
0IPB180N04S400ATMA1
型号:IPB180N04S400ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥54.36649 |
10+: | ¥48.855706 |
100+: | ¥40.033507 |
500+: | ¥34.216292 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥54.37