
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.893518 | ¥7.89 |
| 10 | ¥6.449297 | ¥64.49 |
| 100 | ¥5.013846 | ¥501.38 |
| 500 | ¥4.249987 | ¥2124.99 |
| 1000 | ¥3.462039 | ¥3462.04 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 714 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 12.7 nC
耗散功率 23 W
通道模式 Enhancement
下降时间 13 ns
上升时间 11 ns
典型关闭延迟时间 46 ns
典型接通延迟时间 13.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPAN60R360PFD7S SP003965454
单位重量 2 g
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0IPAN60R360PFD7SXKSA1
型号:IPAN60R360PFD7SXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.893518 |
| 10+: | ¥6.449297 |
| 100+: | ¥5.013846 |
| 500+: | ¥4.249987 |
| 1000+: | ¥3.462039 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥7.89