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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 IXYS
商标名 HyperFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 75 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 60 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH75N10
型号:IXFH75N10
品牌:IXYS
供货:锐单
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