货期:(7~10天)
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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.795519 | ¥4.80 |
10 | ¥4.65151 | ¥46.52 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.9 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.3 ns
上升时间 2.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.6 ns
典型接通延迟时间 1.7 ns
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 15 mg
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0ZXMN3A01E6TA
型号:ZXMN3A01E6TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.795519 |
10+: | ¥4.65151 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.80