货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥148.890046 | ¥148.89 |
10 | ¥136.879994 | ¥1368.80 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 69 A
漏源电阻 42 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 342 nC
耗散功率 520 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 104 ns
正向跨导(Min) 28 S
上升时间 80 ns
典型关闭延迟时间 244 ns
典型接通延迟时间 51 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0SIHG73N60AEL-GE3
型号:SIHG73N60AEL-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥148.890046 |
10+: | ¥136.879994 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥148.89