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TP90H180PS

Transphorm
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制造商编号:
TP90H180PS
制造商:
Transphorm
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
渠道:
digikey

库存 :393

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 Transphorm

商标 Transphorm

技术类参数

技术 GaN

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 900 V

漏极电流 15 A

漏源电阻 205 mOhms

栅极电压 - 18 V, + 18 V

栅源极阈值电压 1.6 V

栅极电荷 10 nC

耗散功率 78 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 7.4 ns

上升时间 5 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 40 ns

典型接通延迟时间 26 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g

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TP90H180PS

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型号:TP90H180PS

品牌:Transphorm

供货:锐单

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