货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥26.9231 | ¥26.92 |
10 | ¥22.334797 | ¥223.35 |
100 | ¥17.77683 | ¥1777.68 |
500 | ¥15.04205 | ¥7521.02 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 165 nC
耗散功率 188 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 75 S
上升时间 120 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB029N06N3 G SP000453052
单位重量 4 g
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0IPB029N06N3GATMA1
型号:IPB029N06N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥26.9231 |
10+: | ¥22.334797 |
100+: | ¥17.77683 |
500+: | ¥15.04205 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥26.92