货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥10.255496 | ¥10.26 |
10 | ¥8.995183 | ¥89.95 |
100 | ¥6.898367 | ¥689.84 |
500 | ¥5.452958 | ¥2726.48 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.7 nC
耗散功率 2.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
正向跨导(Min) 4.9 S
上升时间 3.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.2 ns
典型接通延迟时间 1.95 ns
高度 1.6 mm
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 52 mg
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0ZXMN6A11ZTA
型号:ZXMN6A11ZTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.255496 |
10+: | ¥8.995183 |
100+: | ¥6.898367 |
500+: | ¥5.452958 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.26