货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥87.457336 | ¥87.46 |
10 | ¥78.539339 | ¥785.39 |
100 | ¥64.354025 | ¥6435.40 |
500 | ¥54.783012 | ¥27391.51 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 84 A
漏源电阻 10.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 87 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 70 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB117N20NFD SP001107232
单位重量 4 g
购物车
0IPB117N20NFDATMA1
型号:IPB117N20NFDATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥87.457336 |
10+: | ¥78.539339 |
100+: | ¥64.354025 |
500+: | ¥54.783012 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥87.46