货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥121.595841 | ¥121.60 |
10 | ¥111.738014 | ¥1117.38 |
100 | ¥94.367278 | ¥9436.73 |
500 | ¥83.946481 | ¥41973.24 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 68.5 A
漏源电阻 37 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 300 nC
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 127 ns
典型接通延迟时间 34 ns
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW65R041CFD SP000756288
单位重量 6 g
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0IPW65R041CFDFKSA1
型号:IPW65R041CFDFKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥121.595841 |
10+: | ¥111.738014 |
100+: | ¥94.367278 |
500+: | ¥83.946481 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥121.60