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IPW65R041CFDFKSA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPW65R041CFDFKSA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 121.595841 121.60
10 111.738014 1117.38
100 94.367278 9436.73
500 83.946481 41973.24

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 CoolMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 68.5 A

漏源电阻 37 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3.5 V

栅极电荷 300 nC

耗散功率 500 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 8 ns

上升时间 28 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 127 ns

典型接通延迟时间 34 ns

外形参数

高度 21.1 mm

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPW65R041CFD SP000756288

单位重量 6 g

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IPW65R041CFDFKSA1

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型号:IPW65R041CFDFKSA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥121.595841
10+: ¥111.738014
100+: ¥94.367278
500+: ¥83.946481

货期:1-2天

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