
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.411681 | ¥8.41 |
| 10 | ¥6.899931 | ¥69.00 |
| 100 | ¥5.364652 | ¥536.47 |
| 2500 | ¥3.487142 | ¥8717.85 |
| 5000 | ¥3.321085 | ¥16605.42 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 800 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 0.6 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 7.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 894.062 mg
购物车
0IRFD220PBF
型号:IRFD220PBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.411681 |
| 10+: | ¥6.899931 |
| 100+: | ¥5.364652 |
| 2500+: | ¥3.487142 |
| 5000+: | ¥3.321085 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.41