STB200N6F3
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- 制造商编号：
- STB200N6F3
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥78.060796 | ￥78.06 |
| 10 | ￥70.098878 | ￥700.99 |
| 25 | ￥66.26809 | ￥1656.70 |
| 100 | ￥53.016173 | ￥5301.62 |
| 250 | ￥50.071113 | ￥12517.78 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STB200N6F3
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
STripFET™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3.6mOhm @ 60A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
100nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6800pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
330W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STB200N6F3 同类别型号
注
STB200N6F3品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STB200N6F3
数据手册PDF。
STB200N6F3
型号：STB200N6F3
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥78.060796 |
| 10+： | ￥70.098878 |
| 25+： | ￥66.26809 |
| 100+： | ￥53.016173 |
| 250+： | ￥50.071113 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥78.06