
货期:(7~10天)
起订量:61
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 61 | ¥3.138726 | ¥191.46 |
| 100 | ¥3.007952 | ¥300.80 |
| 300 | ¥2.877179 | ¥863.15 |
| 500 | ¥2.74624 | ¥1373.12 |
| 1000 | ¥2.615632 | ¥2615.63 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 168 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Triple
下降时间 4.5 ns
上升时间 5.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 0.95 mm
长度 5 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 360 mg
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0TPH2010FNH,L1Q
型号:TPH2010FNH,L1Q
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 61+: | ¥3.138726 |
| 100+: | ¥3.007952 |
| 300+: | ¥2.877179 |
| 500+: | ¥2.74624 |
| 1000+: | ¥2.615632 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00