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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥2.733521 | ¥2.73 |
10 | ¥2.025139 | ¥20.25 |
30 | ¥1.891797 | ¥56.75 |
100 | ¥1.758454 | ¥175.85 |
500 | ¥1.700117 | ¥850.06 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 10.5 A
漏源电阻 8.4 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 25.8 nC
耗散功率 660 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20.8 ns
上升时间 24.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 66.4 ns
典型接通延迟时间 9.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.750 mg
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0DMN2013UFDE-7
型号:DMN2013UFDE-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.733521 |
10+: | ¥2.025139 |
30+: | ¥1.891797 |
100+: | ¥1.758454 |
500+: | ¥1.700117 |
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单价:¥0.00总价:¥2.73