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DMN2013UFDE-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN2013UFDE-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
渠道:
国内现货
自营
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库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 2.733521 2.73
10 2.025139 20.25
30 1.891797 56.75
100 1.758454 175.85
500 1.700117 850.06

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 10.5 A

漏源电阻 8.4 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 25.8 nC

耗散功率 660 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 20.8 ns

上升时间 24.5 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 66.4 ns

典型接通延迟时间 9.9 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 6.750 mg

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DMN2013UFDE-7

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型号:DMN2013UFDE-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

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1+: ¥2.733521
10+: ¥2.025139
30+: ¥1.891797
100+: ¥1.758454
500+: ¥1.700117

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