DMN2013UFDE-7
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- 制造商编号：
- DMN2013UFDE-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.23508 | ￥2.24 |
| 10 | ￥1.655867 | ￥16.56 |
| 30 | ￥1.546839 | ￥46.41 |
| 100 | ￥1.437811 | ￥143.78 |
| 500 | ￥1.390111 | ￥695.06 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 10.5 A
漏源电阻 8.4 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 25.8 nC
耗散功率 660 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20.8 ns
上升时间 24.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 66.4 ns
典型接通延迟时间 9.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.750 mg
DMN2013UFDE-7 同类别型号
注
DMN2013UFDE-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购DMN2013UFDE-7、查询DMN2013UFDE-7代理商；
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替代型号
、DMN2013UFDE-7
数据手册PDF
。
DMN2013UFDE-7
型号：DMN2013UFDE-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.23508 |
| 10+： | ￥1.655867 |
| 30+： | ￥1.546839 |
| 100+： | ￥1.437811 |
| 500+： | ￥1.390111 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.24