货期:国内(1~3工作日)
起订量:1800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1800 | ¥17.052422 | ¥30694.36 |
3600 | ¥16.199774 | ¥58319.19 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 3.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IAUS200N08S5N023 SP001792362
单位重量 771.020 mg
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0IAUS200N08S5N023ATMA1
型号:IAUS200N08S5N023ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1800+: | ¥17.052422 |
3600+: | ¥16.199774 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00