货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥90.644732 | ¥90.64 |
10 | ¥83.292875 | ¥832.93 |
100 | ¥70.344594 | ¥7034.46 |
500 | ¥62.576414 | ¥31288.21 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 320 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 430 nC
耗散功率 1 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 177 ns
正向跨导(Min) 130 S
上升时间 46 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 73 ns
典型接通延迟时间 36 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH320N10T2
型号:IXFH320N10T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥90.644732 |
10+: | ¥83.292875 |
100+: | ¥70.344594 |
500+: | ¥62.576414 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥90.64