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DMN2013UFDE-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN2013UFDE-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 4.723514 4.72
10 3.499433 34.99
30 3.269018 98.07
100 3.038603 303.86
500 2.937796 1468.90

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 10.5 A

漏源电阻 8.4 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 25.8 nC

耗散功率 660 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 20.8 ns

上升时间 24.5 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 66.4 ns

典型接通延迟时间 9.9 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 6.750 mg

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DMN2013UFDE-7

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型号:DMN2013UFDE-7

品牌:DIODES

供货:锐单

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1+: ¥4.723514
10+: ¥3.499433
30+: ¥3.269018
100+: ¥3.038603
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