货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.723514 | ¥4.72 |
10 | ¥3.499433 | ¥34.99 |
30 | ¥3.269018 | ¥98.07 |
100 | ¥3.038603 | ¥303.86 |
500 | ¥2.937796 | ¥1468.90 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 10.5 A
漏源电阻 8.4 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 25.8 nC
耗散功率 660 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20.8 ns
上升时间 24.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 66.4 ns
典型接通延迟时间 9.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.750 mg
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0DMN2013UFDE-7
型号:DMN2013UFDE-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.723514 |
10+: | ¥3.499433 |
30+: | ¥3.269018 |
100+: | ¥3.038603 |
500+: | ¥2.937796 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.72