货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥147.285103 | ¥147.29 |
10 | ¥135.385837 | ¥1353.86 |
100 | ¥114.342563 | ¥11434.26 |
500 | ¥101.715915 | ¥50857.96 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 110 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 260 nC
耗散功率 600 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 45 S
上升时间 130 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 99 ns
典型接通延迟时间 28 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.500 g
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0IXTT110N10L2
型号:IXTT110N10L2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥147.285103 |
10+: | ¥135.385837 |
100+: | ¥114.342563 |
500+: | ¥101.715915 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥147.29