货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.246072 | ¥6.25 |
10 | ¥5.095175 | ¥50.95 |
100 | ¥3.962207 | ¥396.22 |
500 | ¥3.358305 | ¥1679.15 |
1000 | ¥2.735723 | ¥2735.72 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 5.3 A
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 24 ns
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF830BPBF-BE3
单位重量 2 g
购物车
0IRF830BPBF
型号:IRF830BPBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.246072 |
10+: | ¥5.095175 |
100+: | ¥3.962207 |
500+: | ¥3.358305 |
1000+: | ¥2.735723 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.25