货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥10.456063 | ¥10.46 |
50 | ¥8.3836 | ¥419.18 |
100 | ¥6.644287 | ¥664.43 |
500 | ¥5.631564 | ¥2815.78 |
1000 | ¥4.587544 | ¥4587.54 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 55 A
漏源电阻 16.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 44.7 nC
耗散功率 115 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFZ44VPBF SP001571862
单位重量 2 g
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0IRFZ44VPBF
型号:IRFZ44VPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.456063 |
50+: | ¥8.3836 |
100+: | ¥6.644287 |
500+: | ¥5.631564 |
1000+: | ¥4.587544 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.46