
货期: 8周-10周
起订量:800
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ¥12.72714 | ¥10181.71 |
| 1600 | ¥10.367618 | ¥16588.19 |
| 2400 | ¥9.759842 | ¥23423.62 |
| 5600 | ¥9.295081 | ¥52052.45 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 35.1 A
漏源电阻 31.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 28 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
购物车
0SUM90330E-GE3
型号:SUM90330E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 800+: | ¥12.72714 |
| 1600+: | ¥10.367618 |
| 2400+: | ¥9.759842 |
| 5600+: | ¥9.295081 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00