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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥25.527216 | ¥25.53 |
70 | ¥20.222964 | ¥1415.61 |
140 | ¥17.333917 | ¥2426.75 |
560 | ¥15.407767 | ¥8628.35 |
1050 | ¥13.192811 | ¥13852.45 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 2.3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 23.7 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 41 ns
正向跨导(Min) 1 S
上升时间 70 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 2.38 mm
长度 6.22 mm
宽度 6.73 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Depletion Mode MOSFET
单位重量 330 mg
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0IXTY1R6N50D2
型号:IXTY1R6N50D2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥25.527216 |
70+: | ¥20.222964 |
140+: | ¥17.333917 |
560+: | ¥15.407767 |
1050+: | ¥13.192811 |
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单价:¥0.00总价:¥25.53